三星电子为了 强固存储器霸业， 制订DRAM进展蓝图，擘划制程微缩进度 。业界预估，15纳米可能是DRAM制程微缩的极限， 担心三星遭中国业者追上 。

韩媒etnews 18日报道，业界 信息称，三星上一年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM， 预约今年底 实现开发、明年量产 。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组， 指标最快2020年量产 。 有关人士 泄漏，微缩难度高，2020年量产 工夫可能延后 。

三星从20纳米制程(28→25→20)，转进10纳米制程(18→17)，缩短线宽(Line－width)的速度显而易见放缓 。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队，由于由此开始，电流外泄和电容器 烦扰和状况将更为显而易见，需求开发新的材质 。

三星 设施解决 方案部门的半导体 试验室人员Jung Eun－seung说，为了 接续缩短线宽，必须开发与目前不同的新材质，并 普及制程 巩固性，以便进入量产 。

业界人士估量，15纳米兴许是制程微缩的极限， 将来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并 担心中国业者急起直追，赶上三星 。