Intel Optane(闪腾)存储产品终于开始出货了，而中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也传来好 信息，已经在中芯国际正式投入生产！

Crossbar公司成立于2010年，拿到了包含中国北极光创投在内提供的8000万美元风投，2016年3月 宣告与中芯国际达成合作，发力中国市场，中芯国际将采纳自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片 。

ReRAM代表电阻式RAM，是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术，关闭电源后仍能 保留数据 。假如ReRAM有足够大的空间，一台装备ReRAM的计算机将 几乎不再需求载入 工夫 。

ReRAM的名字中 固然带有RAM，但机制和 用处其实更像NAND闪存，重要用作数据存储 。

ReRAM的性能非常彪悍，号称存储密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍， 持久度高1000倍，200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储，还具备 构造 方便、易于创造等 长处 。

与传统的NAND闪存相比，ReRAM速度快的多，位元可 批改，而且所需电压更低，这都使得它 可以被 利用于嵌入式和SSD 设施之中 。

而且不同于NAND闪存关于更新工艺的不适应，ReRAM的 扩大性更好， 蓝图 可以做到5nm 。

另外，更先进的28nm ReRAM芯片也会在2017年上半年问世 。

Crossbar ReRAM I/V曲线(1T1R和1TnR)

ReRAM 利用前景