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速率翻倍!三星推出10nm级8GB内存芯片

  2016年10月21日  【 转载 】 编辑:  浏览次数:

   据路透社报导,近日三星在官方网站上正式公布,该公司马上推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM内存芯片 。这次的8GB LPDDR4内存芯片采纳10纳米级工艺创造,内存的速度为4266Mbps,与PC机所用的DDR4 DRAM典型值要快上两倍 。

速率翻倍!三星推出10nm级8GB内存芯片
速率翻倍!三星推出10nm级8GB内存芯片(图片来自于softpedia)

   从官方给出的数据显示,8GB LPDDR4内存芯片采纳16Gb颗粒,10纳米级制程工艺创造 。在这种技术下,生产厂商 可以大大减低芯片的封装面积和功耗 。该芯片内存的速度为4266Mbps,与PC机所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快上两倍 。依照64bit位宽来计算,内存芯片每秒可传输34GB的数据 。 

   本周一的时候,三星电子 宣告10纳米制程工艺芯片将正式投入量产 。这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家 。在布告中三星还提到,明年年头他们会正式公布一款10纳米制程工艺芯片,不过这款芯片的具体信息还未被提及 。

   电子时报本月初的时候曾报导过,三星将是高通骁龙830芯片的独家代工商,这款芯片将会采纳10纳米工艺创造 。而明年三星推出的Galaxy S8,估计也将会搭载骁龙830芯片 。




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