北京 工夫11月26日 信息，上一年8月底，三星 宣告推出 寰球第一款采纳3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的单条容量高达64GB的DDR4内存条 。一年多后，三星将容量翻倍，开始量产128GB DDR4内存条 。

单条128GB DDR4内存(图片来自mydrivers)

    128GB DDR4内存条采纳的是三星最先进的20nm创造工艺，起步频率为2400MHz，接下来将逐渐 晋升到2667MHz、3200MHz 。另外，三星还会把TSV硅穿孔技术 利用到HBM高带宽内存中 。

    需求 注明的是，新内存依旧是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子， 使用了多达144颗DDR4内芯片，每一颗容量8Gb(1GB)， 而后每四颗芯片利用TSV技术密切封装在一同，总计36个组， 分布在内存条两侧 。