前不久，英特尔与美光马上开始生产速度更快的新式内存芯片，据两家公司 示意，其中的新技术将转变计算机存取大量数据的 模式 。两家公司在申明中 示意，新芯片中的“3D XPoint”技术是25年来内存芯片市场上首次浮现的主流新技术速度比当前市场上的闪存快1000倍，这种芯片可用于移动 设施存储数据，同时被越来越多的电脑 使用 。　　

　　美光总裁马克·亚当斯(Mark Adams)在申明中 示意：“在现代计算机中，最大的一项 妨碍就是 解决器在长 工夫存储 设施中找到数据的 工夫太长 。这种新的、非短期的内存是一项技术革命 。它 可以 快捷存取巨量数据集， 支撑崭新的 利用 。

　　长 工夫以来， 储存器的速度和容量都是计算机的最大瓶颈， 即便在SSD硬盘已经 遍及的今日也不例外 。为了硬盘的速度，我们搞出来Raid 0，从机械硬盘进化到闪存盘，然而 储存器 本身的存储速度还是 渐渐 普及的，英特尔与美光搞得这个革命性的东西是什么呢？为何会快到如此地步呢？

　　一、传统闪存是怎么干活的？

　　我们正在 使用的闪存 固然进展了众多年，然而 性质上还是利用一个个弱小的晶体管来 储存数据 。

　　晶体管是NAND芯片的核心 。NAND芯片靠电子在晶体管的“浮动栅”来回移动工作 。

　　(编者注：NAND闪存是1989年问世的第一代非易失性存储技术 。非易失性存储 象征着在关掉电源的状况下还能存储数据 。)　　

　　浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体 。它是操纵传导电流的 取舍操纵栅 。闪存晶体管里面数据是0或1取决于在硅底板上 构成的浮动栅中是不是有电子 。有电子就为0，没电子为1 。

　　闪存在存取数据的时候，要先把全部单元的电子都清掉，具体说就是从全部浮动栅中导出电子 。马上有所数据归“1” 。写入时惟独数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做 。

　　要写入就是施加高电压，让电子就会 打破氧化膜绝缘体，进入浮动栅 。有电子了，这个晶体管就是0了，这样写入就 实现了 。

　　而读取数据时，就施加 定然的电压，由于硅底板上的浮动栅有的有电子，有的没电子，同样施加电压，出来的电流就不一样，这样就能读出0或者1 。

　　由于你得先擦除再写入，所以闪存的速度不如内存快，用英特尔总裁罗勃·克鲁克比喻说：“这有点像一个停车场，要想移动一辆车，会让 其余汽车挤在一同 。你只能把它们再一次罗列， 威力让一个新的汽车进来 。”

　　此外，你存一次数据，就得加一个高电压穿过绝缘氧化膜 。这个膜不是无限寿命的，高电压次数加多了，这个膜就失效了 。这个时候闪存就没法用了，就是我们说的闪存的寿命到了 。

　　另外，晶体管的大小是跟着创造工艺来的，摩尔定律进展到哪一步，就有哪一步的速度和容量，不会有 打破性进展 。

　　速度、容量、寿命就成了闪存的三大问题 。

　　二、3D XPoint的 打破

　　新存储芯片是一种多层线路组成的三维 构造，每一层上线路 彼此平行，并与上下层的线路互成直角，层与层间的有“柱子”似的线在上下层的交织点衔接 。

　　横向的层是绝缘层，每根“柱子”分两节，一节是“记忆单元”，用来存数据，记忆单元能存储一个比特的数据，代表二进制代码中的一个1或0；一节是一个“ 取舍器”， 取舍器同意读写特定的记忆单元，通过转变线路电压来操纵 拜访 。

　　现在故意思的就是这个“记忆单元”，它不是晶体管 。这 象征着和传统闪存 彻底不同，所以他 威力有更大 储存密度，更快的速度 。

　　然而它是什么？用什么 材料？英特尔与美光打死也不说，我们只能猜测 。

　　其实，不用晶体管的 储存器，这些年向来在搞 。cross-point架构舍弃了晶体管，采纳栅状电线(a latticework of wires)电阻来 示意0和1，高电阻状态时，电不能轻易通过，cell 示意0，当处于低电阻时，cell 示意1 。

　　这种用电阻差别来存数据的东西叫电阻式RAM(简称RRAM)，三星、闪迪等巨头都在投入，然而真正接近有用化的是一家名为Crossbar的创业公司(首席科学家个叫卢伟的 华侨)，它在2013年推出了邮票大小的ReRAM产品原型，它 可以存储1TB数据 。2014年已经进入 预备商用的阶段 。Crossbar的架构图和英特尔、镁光的这个3D XPoint的架构图就很接近了 。

　　镁光在2014年也拿出来索尼联合研发ReRAM，原理 类似，还发布了一些 材料的信息 。如今时隔不到一年，这个3D XPoint我们相信就是个新名词而已 。

　　 性质上，它就是电阻式RAM，架构参考了Crossbar的架构 。 材料上镁光有了 定然的 打破，最终外加Intel的工艺， 根本 可以把这个东西有用化，这就是3D XPoint 。

　　三、3D XPoint能干什么？

　　不考量成本的话，这个东西是当前 储存器的良好 代替品，寿命比机械硬盘还长，速度比闪存快1000倍，接近内存的速度，容量密度还很大 。要求低丝毫的计算 设施， 可以一种 储存器打天下了 。

　　关于要求高的地方，它 可以在内存和硬盘中间当一个缓冲， 类似于现在SSD盘这么一个角色，需求 快捷读取写入的，用3D XPoint，不需求的还是用硬盘 。只不过 有关于现在的SSD盘，它的速度更快，寿命更长，容量更大 。

　　这个东西初期价格会很高，会先 利用于超级计算机，高性能服务器这些不差钱的地方 。然而由于这个东西的创造工艺和现在的半导体芯片没有太大区别，技术搞清晰后众多厂都 可以做，价格也会很快下来 。乐观估量，大概5年内这类东西就会 遍及 。 兴许5年后我们的电脑手机很快就会用上 。