三星电子今日 宣告，已经在 寰球 规模内第一家实现了10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，也是继2014年首个量产20nm DDR3内存颗粒后的又一壮举 。

三星没有披露新工艺的具体数字，只不过含糊地称之为10nm级别或者1xnm，而依据韩国媒体此前报导，三星用的是18nm， 接续率先SK海力士、美光等对手 。

三星 示意，新工艺克服了DRAM行业中的大量技术 挑战，包含独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等，并且依旧 使用了已有的氟化氩沉醉式光刻工艺，并未启用高昂且不成熟的EUV极紫外光刻 。

新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB)，频率高达3200MHz，相比于20nm工艺下的DDR4-2400性能可 晋升30％，同时 等同频率下功耗减低10-20％，PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统中都有 广大的前景，单条容量最大可做到128GB 。

今年晚些时候，三星还会 使用新工艺生产新的移动用DRAM内存颗粒，面向智能手机和平板机领域 。

随着新工艺的到来、产能的 扩充，以及PC需要的 降落、手机需要的增进减缓，内存价格将在今年浮现大幅度下滑，下半年至少会降20-30％，最多可达40％ 。三星18nm加入战局，必定会进一步刺激价格走低 。