寰球人工智能(AI)投资热点加剧了内存半导体短缺，三星和SK海力士正同步 晋升其中国工厂的工艺技术和产能，以全面 扩充供给 。韩国金融监督院近日披露，两家公司上一年在华工厂的投资总额超过1.5万亿韩元 。

三星和SK海力士

据CNMO了解，三星上一年对其位于中国西安的工厂投资了4654亿韩元，较前一年的2778亿韩元大幅增进67.5% 。西安工厂是三星唯一的海外NAND闪存生产基地，约占其总产量的40% 。此前，三星在2019年对西安工厂投资约6984亿韩元后，2020年至2023年间未进行重大投资，但自2024年起 复原投资并 延续加码 。

与此同时，SK海力士上一年也对其无锡DRAM工厂和大连NAND闪存子公司进行了超过1万亿韩元的投资 。其中，向无锡DRAM工厂注资5810亿韩元，较2024年的2873亿韩元激增102%；向大连NAND工厂投资4406亿韩元，增进52% 。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连NAND工厂以来，首次在华进行万亿韩元规模的投资 。

SK海力士无锡DRAM工厂

韩媒解读称， 寰球内存市场两位巨头如此 踊跃投资中国工厂的背后，是源源不停的内存半导体订单 。目前内存市场供给紧张，今年全年的DRAM和NAND闪存产量已 根本售罄 。随着AI服务从 容易的查找演变为需求更多推理和学习的“智能体” 模式，对高性能DRAM的需求激增，用于AI数据 核心 解决信息的超高性能内存订单也大幅增进 。

瑞银证券预测， 寰球半导体市场今年将比上一年扩张40%以上，达到1万亿美元规模 。此外，中国国内的AI 根底设施投资也带动了强劲的内需，上一年中国内存半导体市场规模已达约4580亿元人民币，估计今年还将进一步 扩充 。

仅靠韩国国内的生产设施已 无奈满足 寰球需求，三星和SK海力士正通过 晋级其 要害生产基地之一的中国工厂来 扩充供给 。通过大规模追加投资，三星 方案将其西安NAND工厂的重要工艺从128层(第6代) 晋级至236层(第8代) 。

SK海力士则通过投资，将其无锡工厂的DRAM生产工艺从10纳米级第3代(1z) 晋级至第4代(1a) 。 晋级后，无锡工厂将 能够大规模生产第五代双倍数据速率(DDR5)等高附加值产品 。该工厂占SK海力士DRAM总产量的30%以上，现已转型为高附加值产品生产基地 。

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