西部数据 宣告，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代， 重叠层数达到162层，今年即投入量产 。

当前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层，美光目前更是 宣告 寰球首个达到232层 。

然而西数指出，自家的162层闪存单元尺寸更小，惟独68平方毫米，小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米， 因而存储密度更高， 能够提供和竞品 雷同的单芯片容量 。

西数 示意，BiCS6 162层 重叠下，一块晶圆就 能够做到100TB容量，而当前惟独大概70TB 。

性能方面，西数 声称自己 占有最好的电荷 拿获(Charge Trap)型单元，性能可达60MB/s，比对手快了一半 。

西数还 预报了下下一代BiCS+闪存， 重叠超过200层，估计可带来60%的传输速度 晋升、15%的编程带宽 晋升、55%的晶圆容量 晋升， 而后 接续一路 重叠，2032年左右将超过500层！

另外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但没有任何细节 信息 。

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