美光公司周四公布了业界首个 存在 232 层的 3D NAND 闪存，该公司 方案将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包含固态硬盘，并 方案在 2022 年底左右开始量产此类芯片 。

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IT之家了解到，美光的 232 层 3D NAND 闪存采纳 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb(128GB) 。该芯片基于美光的 CuA 架构，并 使用 NAND 字符串 重叠技术，在彼此的顶部 构建两个 3D NAND 阵列 。

CuA 设计外加 232 层 NAND，将大大削减美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸，这有望减低生产成本，使美光 能够对采纳这些芯片的 设施进行更有竞争力的定价，或者添加其利润率 。

美光没有 宣告其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND 设施相比，新的内存将提供更高的性能，这对采纳 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特殊有用 。

谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司已经与内部和第三方 NAND 操纵器(用于固态硬盘和 其余基于 NAND 的存储 设施)的开发者紧密合作，以实现对新型内存的 支撑 。

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在其 232 层 3D TLC NAND 的 其余优势中，美光还提到与上一代节点相比功耗更低 。

考量到美光将在 2022 年年底开始生产 232 层 3D TLC NAND 设施，估计采纳新内存的固态硬盘将在 2023 年左右到来 。

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