台积电今天联合台大、麻省理工 宣告，在 1nm 以下芯片方面 获得重大发展，探究 成绩已发表于 Nature 。

　　该探究发现，利用半金属铋 Bi 作为二维 材料的接触电极， 能够大幅减低电阻并 遍及电流，实现接近量子极限的能效，有望 挑战 1nm 以下制程的芯片 。

　　据介绍，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随 后盾积电将“易沉积制程”进行优化，而台大电机系暨光电所 传授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统”将元件通道 顺利缩短至纳米尺寸 。

　　IT之家此前报导，IBM 在 5 月初首发了 2nm 工艺芯片，与目前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能估计 晋升 45%，能耗减低 75% 。

　　不过业界人士 示意，因为 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂， 因而其 2nm 工艺 无奈很快落地，“弯道超车”也 比较 困苦 。

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