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GTX570联合3DMark11登场 全面性能首 |
(2010-12-8)
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● 传承GF110优势 性价比规格解析 请允许笔者再次赘述GF110核心上的改进,虽然GF110和GF100核心均为40nm工艺,但是在制作工艺上进行了修正,这令核心在发热量、功耗表现上得以全面改善,同时NVIDIA工程师在为了让功耗表现更为出众,还设计了Power Limiter功能,这就犹如当年GeForce 8800 GTX升级为GeForce 8800 Ultra如出一辙。
GF110核心在架构上与GF100完全相同,一颗GPU由4个GPC、16个SM组成,每组SM拥有32个流处理器,这样的特性是其他所有非顶级Fermi核心不具备的。虽然Fermi核心整体架构均为由大到小的GPC、SM、SP逐级分隔,但是在SM构成上除顶级GF100和GF110为每组32外,其他产品设计为每组48个流处理器,这样设计的目的是更有效的协调调度每个流处理器效能。而像GF110这样规模庞大的流处理器群,更细化的分割会有利于线程控制器的调度,从而实现更高性能效率比。 ● GF110-275核心 拥有480 SPs
GeForce GTX 570使用了GF110-275-A1核心,该款核心是由台积电采用40nm工艺制造,标配480个流处理器、40个光栅处理器和60个纹理单元。该核心完美支持DirectX 11 API,同时在GPU通用计算上也非常卓越,例如针对计算加入的可读写L2、ECC校验等功能。 Fermi架构产品在DirectX 11计算中拥有独到的设计理念,因为DirectX 11 3D计算中Tessellation性能及数量至关重要,而Fermi每组SM拥有一个Tessellation单元,所以就GF110而言其理论拥有16个(GF110-275为15个),相比竞争对手的架构设计更适合高复杂度和未来DirectX 11游戏的计算。
最新版的GPU-Z 0.4.9已经能够正确识别GeForce GTX 570,通过软件我们能够看到其默认频率为732MHz/1464MHz/3800MHz。测试所使用的驱动为,NVIDIA提供的ForceWare 263.09。
GeForce GTX 580显存方面配置了10颗规格为16M*32bit的SAMSUNG K4G10325FE-HC05颗粒,构成320bit/1280MB的组合,相比GeForce GTX 580标配的SAMSUNG K4G10325FE-HC04理论极限频率稍逊一筹。
由于GeForce GTX 570与GeForce GTX 580使用完全相同PCB,所以会预留12个显存空焊位,而由于GeForce GTX 570只需要10颗显存即可,所以空焊两个显存位。在高端旗舰产品中,GeForce GTX 580和GeForce GTX 570之间的PCB、显存使用关系,与当年GeForce GTX 280和GeForce GTX 260相类似。 不过我们知道,后期NVIDIA针对GeForce GTX 260设计了原生显存位PCB,成本得到进一步控制,所以我们有理由相信GeForce GTX 570的原生10显存版本会出现。
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