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比GTX480快20% 卡皇完全体GTX580首 |
(2010-11-10)
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30亿晶体管 打造GF100和GF110核心 ● 不得不说的秘密 NVIDIA GTC 2010 在今年9月的NVIDIA GTC 2010大会上,笔者被邀请前往美国参加此次盛会,同时还有幸参观了NVIDIA位于硅谷的总部。在总部参观过程中的一站为GTL(Game Test Lab)部门,这个部门是针对已发布、未发布和对手已发布的全线产品进行全面游戏性能测试,因为GTL实验室是NVIDIA“游戏之道”的一个重要环节。 而在此次GTL实验室的参观中,笔者看到了今天才发布的GeForce GTX 580,由于受限于保密协议所以不能进行报道,而且值得一提的是除了GeForce GTX 580之外,其他未发布产品也在此次参观中偶遇,也就是说NVIDIA早已有了第二代DirectX 11产品,但并没有急于发布,也许是为了保守的针对对手见机行事。
在GTL实验室报道中这张被笔者“精心”涂抹的照片信息,其实就是GeForce GTX 580单卡及SLI性能的官方测试数据。 ● 同为30亿晶体管 打造GF110核心 GF100核心使用了30亿晶体管“联袂打造”,而GF110同样由这个数量晶体管制造。而且GF110核心与GF100核心使用了完全相同的架构设计,也就是说无论从架构设计、规格设定还是功能均相同。那么GF110是否就是GF100的满规格产品呢?
GeForce GTX 580使用了台积电采用40nm工艺制造的GF110-375-A1核心,其由30亿晶体管构成,默认标配512个流处理器、48个光栅处理器、64个纹理单元和384bit显存控制器等。 虽然GeForce GTX 580为NVIDIA第二代DirectX 11产品,但是这款GF110核心实在难逃与GF100之间的关系。不仅核心架构、规格和功能上相同外,即使是核心型号上也与GeForce GTX 480的GF100-375-A1仅为一字之差。 不过GF110并非GF100核心的简单满规格产品,因为GF110是在GF100核心基础上重新设计布线,目的是修正GF100的高漏电性,从而达成低温低功耗的表现。同时GF110还优化了Z-Cull,令其实现了单周期16 位纹理双线性取样。经过这样优化后的GF100核心演变成了我们现在看到的GF110核心。
GeForce GTX 580显存方面配置了12颗规格为16M*32bit的SAMSUNG K4G10325FE-HC04颗粒,构成384bit/1536MB的组合。
目前最新版本的GPU-Z仍然无法正式识别GeForce GTX 580,例如上图中很多关键参数都无法识别,同时显存颗粒还被识别为GDDR3。不过显存容量和显卡频率识别正确,显存容量为1536MB,公版默认频率为772MHz/1544MHz/4008MHz。 这张表格详细的介绍了GeForce GTX 580的硬件规格。其有512个流处理器,每32个SP构成一组SM,同时标配1个Polymoph Engine(该引擎包含重要的Tessellation单元),也就是说GF110拥有目前单芯最多的16个Tessellation单元。同时每4组SM构成一组GPC,标配一组Raster Engine。 GF110这种32个SP构成一组SM的设计,与GF104、GF106和GF108的设计48个SP构成一组SM不同,也许就单SM性能而言GF10X核心的性能更高,单并不适合旗舰的GF110和GF100使用,因为更多的CUDA Core被统一调度,架构设计越扁平化效率越高。 GeForce GTX 580的TDP为244瓦,略低于GeForce GTX 480网上传闻的250瓦或者275瓦。
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