据外媒报导，三星电子 方案在明年年头的时候关于美国得克萨斯州的奥斯汀工厂投入10亿美元，以期进一步的推进工厂的移动芯片生产线的进一步 晋升 。三星公司对外 示意，这项投资将用于 扩充电子半导体创造 。这家工厂也将为三星接下来的旗舰机提供更多组件以及芯片 。

三星在美投资芯片工厂：为下代旗舰机(图片来自于谷歌)

    只管三星生产速度近来浮现了放缓的情况，但这显然 无奈阻挠其 扩充其移动芯片生产 。许多 其余的竞争对手都在美国建有创造工厂， 比方英特尔和GlobalFoundries公司 。英特尔近期 签订了一项 协定，来创造基于ARM的移动芯片，并将为其在美国工厂创造的LG手机提供智能手机芯片 。

   十月下旬的时候，三星在官方网站上正式公布，该公司马上推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM内存芯片 。这次的8GB LPDDR4内存芯片采纳10纳米级工艺创造，内存的速度为4266Mbps，与PC机所用的DDR4 DRAM典型值要快上两倍 。

   就在同一周，三星电子 宣告10纳米制程工艺芯片将正式投入量产 。这也让三星成为首家生产10纳米制程工艺芯片的厂家 。在布告中三星还提到，明年年头他们会正式公布一款10纳米制程工艺芯片，不过这款芯片的具体信息还未被提及 。