3 月 13 日 信息，路透社 示意，三星电子将采纳竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺，而非此前 保持 使用的非导电薄膜(NCF)技术 。

三位直接知情人士称，三星已经发出了 解决 MR-MUF 技术的 设施 洽购订单 。“三星必须采取一些措施来 遍及其 HBM 良率…… 采纳 MUF 技术对三星来说有点像是放弃自尊心的决定，由于这相当于模仿了 SK 海力士的行为 。”

有 综合师 示意，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70% 。随着 AI 行业的 炽热，业界关于?HBM3 和 HBM3E 需求越来越高，三星必须尽快做出转变 。

信息人士称，三星还在与包含日本长濑 集团在内的 材料供给商洽谈 洽购 MUF 材料的事宜，但 使用这一技术的高端芯片最早要到明年 能力实现量产，由于三星还需求进行大量测试 。IT之家注：长濑产业株式会社是 占有近 200 年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社 。

三位 信息人士还 示意，三星 方案在其最新的 HBM 芯片中 使用 NCF 和 MUF 技术 。

三星回应称，其内部开发的 NCF 技术是 实用于 HBM 产品的“最佳解决 方案”，并将用于其 HBM3E 芯片，后续“将依照 方案推动 HBM3E 产品业务”，而英伟达和长濑 回绝置评 。

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