3 月 4 日 信息，据 TheElec，三星正在考量在其下一代 DRAM 中 利用模压填充(MUF)技术 。三星近期测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所 晋升，但物理 特点却浮现了 定然恶化 。

通过测试，该公司得出 论断，MUF 不 实用于高带宽内存 (HBM)，但十分 合适 3DS RDIMM，而当前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术创造，重要用于服务器 。

MUF 是一种在半导体上打上数千个弱小的孔， 而后将上下层半导体衔接的 TSV 工艺后，注入到半导体中间的 材料，它的作用是将垂直 重叠的多个半导体坚固地固定并衔接起来 。

在此之前，三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块(RDIMM)中 使用了热压非导电膜(TC NCF)技术，而 MUF 是 SK 海力士用于创造高带宽内存(HBM)的技术(具体来说是 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF) 。

IT之家 查问发现，MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从着 SK 海力士 顺利将其 利用于 HBM 生产后便在芯片行业愈发受关注，业界认为该 材料被认为在幸免晶圆翘曲方面更有优势 。

材料显示，SK 海力士所 使用的化合物是与 Namics 合作开发的，而 信息人士称三星则 方案与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，当前已经订购了 MUF 利用所需的模压 设施 。

三星是世界最大的存储半导体龙头企业，假如三星也引入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体 材料市场也会 产生 硕大的 变迁，不过三星电子 有关人士对此回应称“ 无奈确认内部技术 策略” 。

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