12月29日 信息，长鑫存储低调推出DDR5内存以来，更多 底细被 发掘出来，好 信息也是接连不停，甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大 打破 。

据花旗银行的 综合报告，长鑫当初在DDR4上的初期良品率惟独20-30％，成熟后达到了90％ 。

得益于DDR4上的 丰盛 教训，长鑫DDR5从一开始的良品率就有40％，当前 巩固在80％左右，并且还在 接续改良，估计到明年底 能够 晋升到90％左右 。

长鑫当前在合肥有两座内存工厂，Fab 1重要生产DDR4， 使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆 。

Fab 2 专一于DDR5，用的是17nm工艺，当前月产能大约5万块晶圆，还在 延续 晋升中，估计到明年可翻一番 。

固然，三星、SK海力士等的DDR5内存已经 晋级到12nm工艺，所以长鑫仍有很大的 晋升空间 。

此外，长鑫还在 大力推动HBM高带宽内存，一方面 晋升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经 获得重大 打破，正在给客户送样，估计明年年中可小规模量产 。

固然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E，并马上推出HBM4，但关于长鑫来说，能搞定HBM2 依然是里程碑式的，关于国产化AI硬件的进展至关重要， 比方华为昇腾910系列加快器就依赖于HBM2 。

依据早先报导，长鑫从今年第三季度就开始 洽购HBM2生产 设施，尤其是需求更先进的封装技术， 波及TSV、KGSD等等 。

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