依据外媒 VideoCardz 信息，SK 海力士在一份文件中 透露，将在 ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路大会)公布两款崭新的 DRAM 芯片，其中包括 12 层 重叠的 HBM3 高速内存，以及速度更块的 GDDR6 芯片 。

　　SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820GB/s，而新产品的速度将进一步 晋升，达到 896 GB/s 。

　　SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采纳 TSV 硅通孔工艺创造，单颗最大容量可达 24GB 。当前这类产品在服务器 CPU 中有 利用，与 解决器核心密切封装在一同，实现高速率 。海力士还 示意，这款芯片 使用了自动校准和机器学习优化技术 。当前，还不晓得该产品是不是会很快量产 。

　　IT之家了解到，文件中 SK 海力士 示意，将 展示 16Gb(2GB) 27Gb/s GDDR6 显存芯片，该产品将采纳 T-coil 电路 构造，实现更高的速度 。此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb/s，海力士的这款新品速度超过了三星 。

　　ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更 详尽的内容 。

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