4月27日 信息：近期有 信息称，三星将在5月24日的晶圆厂商论坛 运动中发布其崭新研发的MRAM，即磁阻式随机存储器 。

　　据悉，新的MRAM速度比一般闪存快10万倍，更主要的一个 特色是不会 迷失数据 。该技术由三星和IBM在上一年7月首次公 发 展示 。

　　而就在研发过程中，三星还加入了自旋转矩技术， 可以大减低功耗 。这项 打破使得MRAM有条件 使用到对功耗要求更敏感的移动 设施上来， 比方让手机实现内存、闪存的二合一 。

MRAM

　　不过有关该技术的更多具体信息，现在并没有大 规模公开，我们也不得不等待三星能在5月给业界带来一些惊喜，这兴许会成为一个新的契机 。

　　事实上，关于非易失性内存的研发、 利用和 遍及，业界已经等待了多年，然而 不管在研发上还是商业化上，当前都没有一个 圆满的解决 方案，所以整个业界对此也相当慎重 。