12 月 14 日 信息，台积电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)的小组 研究会上 透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面铺开 。同时，台积电重申，2nm 级制程将按 方案于 2025 年开始量产 。

依据 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 给出的幻灯片，台积电的 1.4nm 制程节点正式名称为 A14 。IT之家 留神到，当前台积电尚未 透露 A14 的量产 工夫和具体参数，但考量到 N2 节点 方案于 2025 年底量产，N2P 节点则定于 2026 年底量产， 因而 A14 节点估计将在 2027-2028 年问世 。

在技术方面，A14 节点不太可能采纳垂直 重叠互补场效应晶体管(CFET)技术，不过台积电仍在探究这项技术 。 因而，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代围绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术 。

N2 和 A14 等节点将需求系统级协同优化， 能力真正 施展作用，并实现新的性能、功耗和 性能水平 。

尚不清晰台积电是不是 方案在 2027-2028 年 工夫段为 A14 制程采纳 High-NA EUV 光刻技术，考量到届时英特尔(以及可能 其余芯片创造商)将采纳和完善下一代数值孔径为 0.55 的 EUV 光刻机，台积电 使用这些机器应该相当方便 。但是，因为高数值孔径 EUV 光刻技术将掩膜尺寸减半，其 使用将给芯片设计人员和创造商带来一些额外的 挑战 。

固然，从现在到 2027-2028 年，众多 事件都可能会 产生 变迁， 因而不能做出太多的 假如 。但 能够 确定的是，台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发 。

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