全球首发全栅极场效应晶体管!3nm工艺将量产 功耗暴降50% |
珠江路在线
2022年6月29日
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很显然,现在的三星想要通过大规模量产更先进工艺制程,来对台积电实现 超过,这个你感觉能行吗?
据韩国媒体报导称,三星将在 将来几天 宣告开始批量创造,在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电 。
在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时浮现了众多产量问题, 甚至于影响了它的一些最大客户的业务,如高通公司,该公司现在正考量将台积电用于 将来的移动芯片 。
NVIDIA在 解决了Ampere GPU的良品率问题和 绝对较低的能源效率后,正为其下一代产品 取舍台积电,这些GPU原本是在三星的8nm工艺节点上创造的 。
来自韩国本地媒体的报导显示,三星正 预备 宣告开始3纳米的批量创造,可能最快在本周 。这将是对竞争对手台积电的一次重大 挑战,这也 象征着这家韩国公司将成为第一个 使用全栅极场效应晶体管(GAAFET)的公司 。
三星称其 施行的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管,但这只不过晶体管的一个技术名称,它背后的优势才是 要害:功率削减50%,占用的空间削减45%,并能在极低电压下更 巩固地运行 。
有传言称,三星也已经 获得了新工艺节点的第一批客户,该公司是不是 能够幸免重蹈8nm和4nm的覆辙将是值得关注的 。无论如何,代工业务是三星底线的一个强有力的 奉献者,其一半以上的营业利润--约67亿美元和 变迁--来自芯片部门 。