固然还没有公布任何实际产品，但三星电子现 宣告已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND 。

新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控 使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps 。

据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的 方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度 。

三星 声称，与现有 雷同容量的闪存芯片相比，其新一代 3D NAND 闪存可 遍及 遍及 20% 的单晶生产率，从而进一步减低了成本(在良率 雷同的状况下)，这可能 象征着大家有望买到同容量更廉价的固态硬盘 。

该公司没有 透露新品架构，但依据提供的图像，我们 能够 假如这是一种双平面 3D NAND 芯片 。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 示意：“因为市场对更密集、更大容量存储的需要推进了更高的 V-NAND 层数，三星采纳了先进的 3D 压缩技术，以削减表面积和高度，同时幸免通常在压缩时浮现的单元间 烦扰 。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足 快捷增进的市场需要，并使我们更好地提供更多差别化的产品和解决 方案，这将是 将来存储创新的 根底 。”

今年年年，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品 。在此之前，该公司当前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品 。

此外，第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件，将于 2023 年进入量产阶段 。IT之家了解到，三星马上推出的其它 DRAM 解决 方案还包含 32 Gb DDR5 解决 方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM 。

三星对其 V-NAND 声称，到 2030 年，它将打造出 1000 层的 V-NAND 。为了实现这一 指标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构，以 遍及密度并启用更多层 。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，探究新的架构和 材料，例如 High-K，以协助将 DRAM 扩充到 10nm 以上 。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决 方案，例如内存 解决 (PIM) 。

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