据据日媒报道，铠侠从2017年开始与半导体 设施厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件创造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，铠侠已 主宰15nm量产技术，当前正在进行15nm以下技术研发，估计2025年达成 。

与当前已有用化的极紫外光(EUV)半导体制程 细微化技术相比，NIL更加削减耗能且大幅减低 设施成本 。

因NIL的微影制程较单纯，耗电量可压低至EUV生产 模式的10%，并让 设施投资减低至40% 。

而EUV 设施由ASML独家生产供给，不单价格高，且需求许多检测 设施配合 。

当前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包含更方便因 细微尘埃而 构成瑕疵等问题 。

假如铠侠能 顺利领先引进NIL量产技术，可望 补偿在 设施投资 比赛中的不利局面，又能 相符削减碳排放的需求 。

对铠侠来说，NAND组件采取3D 重叠立体 构造，更方便因应NIL技术的微影制程 。

铠侠 示意，已解决NIL的 根本技术问题，正在完善量产技术， 指望能领先引入NAND生产 。

依据DNP说法，NIL技术电路 细致程度可达5nm，DNP从2021年春起，依据 设施的规格值进行内部仿真 。

DNP 透露，从半导体创造商询问添加，显示不少厂商对NIL技术寄托厚望 。

而佳能则致力于将NIL技术 宽泛 利用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的 设施，供给多 品种型的半导体创造商， 将来也 指望能 利用于手机 利用 解决器等最先进制程 。

免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。