想想几年前的 寰球半导体芯片市场，真的 堪称哀嚎一片，一 工夫摩尔定律失效的 舆论 堪称此起彼伏 。然而在今日，我们不只看到5nm工艺如期而至，台积电 宣告2nm 获得重大发展，就连光刻机的老大ASML也传来 喜报， 寰球最先进的1nm EUV光刻机业已 实现设计 。

ASML已 实现1nm光刻机设计

近日，与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体探究机构IMEC发布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节 。具体来看，ASML关于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清楚的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少 。

显然，1nm光刻机需求更 壮大的物理极性，2nm之后需求更高分辩率的曝光 设施 。当前已经投入量产的7nm、5nm工艺已经引入了0.33NA的EUV曝光 设施，而ASML已经 实现了0.55NA曝光 设施的 根本设计，估计在2022年实现商业化 。

很 庆幸看到摩尔定律又起效了！

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