一、台积电：第一家官宣2nm工艺，研发进度超前

据台湾经济日报报导，台积电2nm工艺 获得重大 打破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就 能够达到90% 。

据台媒 透露，有别于3nm与5nm采纳鳍式场效晶体管(FinFET)架构，台积电2nm改采崭新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构，研发进度超前 。

据悉，台积电上一年成立了2nm专案研发团队，寻觅可行路径进行开发 。

考虑成本、 设施相容、技术成熟及 效劳 体现等多项条件，2nm采以围绕闸极(GAA)制程为 根底的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流操纵漏电的物理极限问题 。

极紫外光(EUV)微显影技术的 晋升，使台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet) 重叠 要害技术更为成熟，良率 晋升进度较预期顺利 。

台积电此前 透露2nm研 产生产将在新竹宝山，规划P1到P4四个超大型晶圆厂，占地90多公顷 。

台积电5nm已经量产，3nm估计2022年量产，2nm研发现已经 获得重大 打破！

二、FinFET的 代替者浮现，GAA技术给摩尔定律续命

摩尔定律表明：每隔18'24 个月，集成电路上可 包容的元器件数目便会添加一倍，芯片的性能也会随之翻一番 。

但是，在摩尔定律放缓甚至失效的今日， 寰球几大半导体公司依然在拼命「厮杀」， 指望领先拿下创造工艺布局的制高点 。

从2012年起，FinFet已经开始向20mm节点和14nm节点推进 。

而且， 依附FinEFT技术，芯片工艺节点制程已经进展到7nm，5nm甚至是3nm，也遇到了瓶颈 。

而全围绕栅(GAA)是FinFET技术的演进，沟道由纳米线(nanowire)组成，其四面都被栅极围绕，从而再度 加强栅极对沟道的操纵 威力，有效削减漏电 。

与现在的7nm工艺相比，3nm工艺的具体指标 体现为：可将核心面积削减45%，功耗减低50%，性能 晋升35% 。

台积电2nm采纳的GAA(Gate-all-around，围绕闸极)或称为GAAFET，它和FinFETs有 雷同的理念，不同之处在于GAA的栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触 。

依据设计的不同，GAA也有不同的 状态，当前 比较主流的四个技术是纳米线、板片状 构造多路桥接鳍片、六角形截面纳米线、纳米环 。

三星对外介绍的GAA技术是Multi-Bridge Channel FET(MBCFET)，即板片状 构造多路桥接鳍片 。

台积电同样采纳MBCFET架构 。台积电总裁魏哲家目前于玉山科技协会晚宴专讲时 透露，台积电制程每前进一个世代，客户的产品速度 效劳 晋升30%- 40%，功耗 能够减低20%-30% 。

GAA 能够带来性能和功耗的减低，但成本也十分高 。市场探究机构International Business Strategies (IBS)给出的数据显示，28nm之后芯片的成本迅速 回升 。28nm工艺的成本为0.629亿美元，5nm将暴增至4.76 亿美元 。三星称其3nm GAA 的成本可能会超过5亿美元

三、台积电：1nm芯片，没问题！

在近日的“2020世界半导体大会”上，台积电南京公司总经理罗镇球 示意，芯片制程工艺 延续推进，摩尔定律仍将 实用---3nm、2nm、1nm都没有什么太大问题 。

罗镇球 透露，2021年 能够在市面上看到3nm的产品，台积电 方案在2022年实现3nm产品的大规模量产 。

据罗镇球 透露，当前，台积电7nm工艺有超过140个产品在生产，同时，台积电还 延续投入7nm+和6nm工艺 。

公开 材料显示，台积电南京公司成立于2016年，是台积电的全资子公司，下设有一座十二英寸晶圆厂和一个设计服务 核心 。该公司上一年营收40亿元，同比增进170% 。

台积电5nm、4nm、3nm、2nm芯片最新状况如下：

① 当前，台积电5nm芯片已经进入量产阶段良率推进远远好于3年前的7nm；
② 估计4nm芯片在2021年开始正式批量生产；
③ 台积电3nm芯片，性能 能够再 晋升10-15%，功耗 能够再减低25-30% 。估计 能够看到3nm芯片产品将在2022年进入大批量生产；
④ 此外，在目前召开的“台积电技术论坛”上，台积电 透露了2nm芯片的最新布局---已经在新竹购买了土地用于建设2nm工厂和新的研发 核心，投入8000多名工程师进一步推进2nm节点研发 。

免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。