外媒报导称，存储大厂西部数据(WD)正在开发自家的低延迟闪存，与传统 3D NAND 相比，其 能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品铺开竞争 。在本周的 Storage Field Day 上，西数 透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 中间， 类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND  。其 拜访延迟在 奥妙级， 使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元 。

　　作为一款性能向的定制 设施，LLF 存储的成本是 DRAM 的 1 / 10  。然而依照当下的每 GB 价格计算，其成本是 3D NAND 存储的 20 倍 。换言之，这项技术只会在数据 核心或高端工作站 遍及开来 。

　　西数没有 透露其低延迟闪存的全部细节，也 无奈 注明它是不是与上一年推出的东芝 XL-Flash 低延迟3D NAND 或其它特别类型的闪存的关联有关 。

　　至于实际的 LLF 产品将于何时面市，该公司不愿表态 。 即便西数的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存储技术打造，即日起开始生产的难度也不大 。

　　 乏味的是， 只管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星 Z-NAND SSD 铺开竞争，但该公司并未将 LLF 称为“存储级内存”(SCM) 。

　　从 深远来看，西数正在 机密开发基于 ReRAM 的存储级内存产品，并与惠普携手开发基于忆阻器的 SCM 硬件 。

　　固然，研发一般需求多年 。在下一代技术投入 使用前，业界还是会着力于更成熟的 NAND 闪存，来满足客户关于容量和性能的需求 。