现在的SSD 固然 可以通过 重叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需求的硅穿孔数目越多，创造难度直线 回升，不只良品率 无奈 保障、生产成本也高，一些 占有 深沉技术的存储厂商早就开始探究新一代非易失性存储器了 。

除了Intel那个未知原理的3D XPoint闪存以外，还有大热的ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据的非易失性存储器， 存在单位面积容量大、读写速度快 特点，而对此探究了好些年的Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术的SSD，为存储市场 平添新 活力 。

ReRAM其实便是一种忆阻器模型，是一种 可以 形容电荷和磁通中间关系的崭新元件，也是一种 存在记忆 性能的非线性电阻，不只 可以记忆流经 本身的电荷数量，也 可以通过操纵激励源的电流或者磁通来转变 本身的阻值大小，而且这种阻值 变迁 可以在断电下 接续 保留相当长的一段 工夫 。

单一忆阻器其实便是一个长条形的器件， 占有三层 构造，包括有上下电极和中间的开关层，通过电极施加不同的电压值就能转变中间的特别 构造的电阻值，从而达到存储数据 性能(电阻值代表0/1或者是更多位数据) 。其 巩固性十分好，具备了一般闪存颗粒不具备的超宽温度耐受值，-40-125℃ 。一百万次读写周期后，在85℃下数据 可以 维持10年不消逝 。

而且这种长条形 构造 可以很方便地组建成大规模阵列， 方便的 构造使得存储容量、密度远超现有的闪存技术，轻松实现TB存储颗粒 。

另外由于其 构造 方便，它的主控开发也变得 异样 方便，现有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控 可以很好地适应ReRAM架构 。

不过Mobiveil、Crossbar 示意ReRAM SSD并不是要革现有SSD的名，由于它至少短期内不是民用消费级，而是面向商业 利用 方案，由于当前来看ReRAM SSD 固然性能指标一流，但制作成本十分高，甚至比NV-DIMMM更为高昂，就像是Intel的傲腾都是在 折本在卖 。

所以Mobiveil与Crossbar将ReRAM的销售方向、潜在客户都与Intel 3D XPoint闪存硬盘Optane 雷同，并在 踊跃开发 可以 均衡价格与性能的产品，带动公司的 接续进展 。