Intel、TSMC及三星三大半导体工厂今年将量产10nm工艺，他们中进度快的甚至 预备在明年上马7nm工艺，2020年前后则要推出5nm工艺 。然而随着制程工艺的 晋级，半导体工艺也越来越 逼近极限了，制造难度越来越大 。

5nm之后的工艺到现在为止都没有明确的 论断，晶体管 材料、工艺都需求更新 。在这丝毫上，美国又走在了前列，美国布鲁克海文国家 试验室的科研人员目前 宣告实现了1nm工艺制造 。

来自EETimes的报导称，美国能源部(DOE)下属的布鲁克海文国家 试验室的科研人员目前 宣告制造了新的世界记录，他们 顺利制造了尺寸惟独1nm的印刷 设施， 使用还是电子束印刷工艺而非传统的光刻印刷技术 。

这个 试验室的科研人员制造性地 使用了电子显微镜造出了比一般EBL(电子束印刷)工艺所能做出的更小的尺寸，电子敏感性 材料在聚焦电子束的作用下尺寸大大缩短，达到了 可以控制单个原子的地步 。他们造出的这个工具 可以极大地转变 材料的性能，从导电变成光传输以及在这两种状态下交互 。

他们的这项成便是在能源部下属的 性能纳米 材料 核心 实现的，1nm印刷 使用的是STEM(扫描投射电子显微镜)，被隔开11nm，这样一来每平方毫米就能实现1万亿个 特色点(features)的密度 。通过偏差 修改STEM在5nm半栅极在氢氧硅酸盐类抗蚀剂下实现了2nm分辩率 。

PS：这些技术听上去 冲动人心，不过 试验室研发的技术并不代表能很快商业化，布鲁克海文 试验室的1nm工艺跟当前的光刻工艺有众多不同， 比方 使用的是电子束而非激光光刻，所用的 材料也不是硅基半导体而是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)之类的，下一步他们打算在硅基 材料上进行尝试 。

事实上这也不是科学家第一次实现1nm级别的工艺，上一年美国能源部下属的另一个国家 试验室——劳伦斯伯克利国家 试验室也 宣告过1nm工艺，他们 使用的是纳米碳管和二硫化钼等新 材料 。

同样地，这项技术也不会很快投入量产，由于碳纳米管晶体管跟这里的PMMA、电子束光刻一样跟当前的半导体工艺有显而易见区别，要让厂商们一下子所有淘汰现有 设施，这 几乎是不可能的 。

美国半导体技术实力雄厚，中国在此领域落后众多，盼望国内的商业公司去研发这些新技术是不可能了，大家对此有什么好的 提议和 意见吗？