7 月 13 日 信息，受到人工智能需要激增与产能 构造性瓶颈的双重推进，高带宽内存(HBM)的价格到 2027 年有望翻倍 。

据 DigiTimes 上周五报导，业内人士 透露，下一代 HBM4 的价格有望升至每 Gb 4 至 5 美元甚至更高，而 2026 年下半年的价格约为每 Gb 2 美元 。

此次价格上涨重要源于 HBM4 极其复杂的创造工艺 。HBM4 的生产周期长达 4 至 6 个月，并且初期良率显而易见低于成熟产品 。此外，生产 HBM 所 消费的晶圆产能约为一般 DDR5 DRAM 的三倍，这 象征着在现有产能条件下，内存厂商 能够生产的 HBM 数量受到严峻 制约 。

供给紧张的局面还因长 工夫供货 协定进一步加剧 。三星电子、SK 海力士和美光等存储巨头，正通过与顶级 AI 客户 签订为期 3 至 5 年的长 工夫合同，提前锁定 寰球 HBM 产能 。

DigiTimes 认为，随着越来越多 DRAM 产能转向 HBM，再外加长 工夫合同占用，到 2027 年， 寰球约一半 DRAM 产能将 无奈向中小客户供给 。

与此同时，英伟达马上推出的 Rubin AI 架构正在加快 HBM4 的导入 。不过，存储厂商也面临新的利润取舍 。

因为今年服务器 DDR5 内存价格 延续上涨， 部分厂商的 DDR5 利润率已超过 80%，这使得内存创造商惟独在 HBM 能够带来更高利润的状况下，才情愿将生产线从传统 DRAM 转向 HBM 。 因而，他们也将推进 HBM 维持更高的报价，以 补偿转换产线带来的机会成本 。

资本市场方面，这种长 工夫求过于供的格局估计将 接续 支撑存储板块股价 体现 。

SK 海力士当天通过美国存托凭证(ADR)正式登陆纳斯达克，这是公司历史上首次在美国面市交易 。本次发行规模高达 265 亿美元，且 ADR 的交易价格甚至高于其韩国首尔面市股票，显示投资者依旧高度看好 AI 存储市场的进展前景 。

AI 热点已经推进多家存储企业股价大幅上涨，其中：美光(Micron)累计上涨超过 700%；闪存厂商闪迪(SanDisk)上涨超过 3800%；SK 海力士上涨超过 630%；三星电子上涨超过 360% 。

留神到， 只管最近市场一度 担心科技巨头可能减少 AI 根底设施投资，但 DigiTimes 援引供给链 信息称，进入 2027 年后，AI 硬件整体仍将处于求过于供状态 。

因而，估计存储厂商将在 2026 年底的新一轮供货合同 会谈中 接续 主宰绝对的定价 积极权，而没有提前签订长 工夫供货 协定的消费电子厂商，则可能面临严峻的缺货风险 。

免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。