今日，媒体 寰球半导体 视察发文称，由于智能手机和固态硬盘的强劲需要，第四季度的NAND Flash闪存将比之以往处于更加严峻的缺货状态， 弦外之音，闪存可能要涨价了！

说到闪存，众多人都会想到运行内存和 储存内存，关怀手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件十分 相熟，然而关于产品性能同样十分主要的RAM(运行内存)和ROM( 储存内存)相信就没有那么多人有众多了解了，今日的这篇文章，就先来说说 储存内存的那些事 。首先，和CPU等不一样，ROM的性能好坏的评介并不和计算 威力 有关， 衡量一块闪存和运存性能好坏的，惟独两个指标：数据读写速度和容量 。

3D NAND为闪存容量打了兴奋剂

关于容量，首先需要强调，手机 储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等 使用的都是一种叫做NAND的 储存介质，传统的 储存介质还有机械硬盘(HHD)，也便是传统的光盘 储存 。特色是断电之后也能 维持 储存的数据不 迷失， 可以作存储数据用 。而所谓的RAM(运行内存)则是通过某种电容(DRAM、SRAM或RRAM) 储存数据的，断电之后数据马上消逝，然而数据吞吐速度及其迅速，这里不做深究 。

我们都晓得现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍，从以往的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB，所以 即便今年的iPhone7销售状况并不能比上上一年的iPhone6s，然而对NAND闪存的需要量 依旧上涨了接近一倍，再外加固态硬盘的价格 连续走低，这种几年前还是奢靡品的硬盘现在已经走进平常百姓家，需要量也大大增进，这 所有都促使着NAND闪存产量需要大幅添加 。再外加2D NAND的生产线众多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，便是最近几年闪存容量飞速增进的最大助力 。

传统的2D-NAND假如想要在同样的芯片体积上添加 储存容量，需要NAND cell单元制程越做越小，这样 威力在单位面积中塞入更多的存储单元，可是物理这个东西总是有极限的，在20nm工艺之后，随着单元体积的进一步缩短，会带来越来越严峻的电子 烦扰 景象，这就使得 储存芯片的牢靠性与读写性能反而会减低 。

在这种 窘境下，3D NAND技术被提了出来， 容易来说便是将原来平面罗列的NAND cell再加一个垂直方向上的 重叠，这种垂直方向的罗列 可以在 宏观下数倍的添加可用体积，可是由于单个cell单元的体 踊跃小，所以并不会在宏观层面带来体积添加 。而且由于可用体积成倍增进， 使用3D NAND 重叠的闪存 可以用更加成熟的制程，所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是 使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程，这也为3D NAND带来了更加优异的牢靠性 。例如当前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数 广泛是3000次，而 使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次 。

正是由于3D NAND技术的提出和 遍及，现在我们越来越多地看见在以往难以 设想的1TB SD卡这样的怪兽级 储存 设施，而在 雷同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的 储存容量 。惋惜的是这项 占有光明前景的技术在国内无人 可以 主宰，三星和Intel等厂商已经 可以创造36、48层甚至是64层的3D NAND 重叠，国内前段 工夫也传出中芯将在武汉 花费160亿美元 构建DRAM和NAND工厂，可是就现在的状况来看，国内厂商仅仅 可以生产出4层 重叠的3D NAND，和业界巨头来比还相去甚远 。

eMMC传输 协定已近 傍晚，三星、苹果为了新 标准互不相让

除了容量，读写速度也是制约 使用体验的因素之一，想必全部人都尝到过游戏、 利用加载过慢的 苦楚，然而随着各家厂商提出新的 标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的进展 。现在的内存 标准规格 可以分为3类，一是传统的eMMC，再便是分别由三星和苹果提出的UFC 标准和NVMe 标准 。

其实这些 标准便是在NAND存储芯片的 根底上，再外加了操纵芯片，接入 标准接口，进行 标准封装， 构成一个高度集成的 储存模块 。有点像手机中的SoC，将全部需要的东西都塞到一个模块中，容易手机创造商直接拿来装在主板上，简化了产品研发的流程 。不过这三种 标准更多的只不过在接口和数据传输 协定上的 标准，在存储介质上，都是 使用的NAND闪存 。

eMMC在之前向来都是业内主流的内存 标准，通俗的来说，eMMC=NAND闪存 闪存操纵芯片  标准接口封装，UFS和NVMe也都是如此，不同之处在于闪存操纵芯片和接口 协定不一样 。eMMC从eMMC4.3一路进展到4.4、4.5直到现在的5.0，传输速度也从50MB/S一路狂飙到200MB/S直到现在eMMC5.0的400MB/S，再往后还有eMMC5.1高达600MB/S的传输速度 。

不过用三星的话来说，eMMC 标准的 后劲已经被榨干了，UFS 标准才是 将来 。eMMC在一段 工夫里只 可以读取或者写入一种状态，而UFS2.0 支撑同时读写数据，而且在传输速度上 可以达到780MB/S 。在功耗方面， 固然在满载工作时功耗比eMMC高，然而待机状态下却低得多 。现在 使用了UFS2.0的手机已经众多了， 使用了高通骁龙821、820和三星Exynos 8890等 解决器的手机都已经 支撑UFS 2.0 。

不过苹果一贯在硬件上爱默默地堆料， 使用了NVMe 协定的iPhone6s和iPhone7读写速度都达到了三星S7的2倍以上，所以说iPhone的流畅不只仅是系统的问题，在硬件上，苹果可向来都是率先安卓 营垒的 。不过听说在随机读写速度这一项上，UFS2.0的 体现要优于NVMe，这代表着在日常复杂的 使用环境中，UFS是有优势的 。而且听说三星马上推出UFS2.1 标准，读写速度 可以达到让人咋舌的1.5GB/S 。

最近就有传言称华为将要公布的麒麟960 解决器就将 支撑UFS2.1，而作为三星自家的 标准，也有极有可能浮现在三星的手机中，不晓得最终谁 可以成为第一个在存储速度上 战胜iPhone的手机厂家 。