8 月 11 日 信息，依据韩媒 ZDNET Korea 本地 工夫今天的现场采访报导，来自三星电子半导体探究院晶圆代工工艺开发团队的 ??? (Park Chang Min) 示意，该企业 方案在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设施的商业化 利用 。

???在首尔 举办的 NGL 2026 学术会议上 示意，关于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个最近节点来说，High NA EUV 光刻图案化技术仍不算成熟 。而更高的图案化分辩率将在 1nm 级成为刚需， 因而三星晶圆代工正以此为 指标与合作 搭档联合研发 。

考量到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并 方案在 2030 年推出改良型 SF1.4+，其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出 。

??? 也提到：“在 1.4nm 及 1nm 工艺阶段，基于 0.33 NA (Low NA) EUV 的光刻多重曝光技术将成为主流 。我认为 尔后的新一代工艺将以 High NA 光刻技术为主 。”

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