12月7日，根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK海力士 宣告 实现对业界最多层的176层512 Gb(TL)三层单元(TLC)4D NAND闪存的开发 。闪存单元架构为CTF(电荷 拿获)，同时集成了PUC技术 。新型176层NAND闪存是第三代4D产品，可确保每个晶圆 能够切割更多有效的闪存硅片 。除了容量添加35%，闪存单元的读取速度也 晋升了20%， 使用加快技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps 。SK海力士估计 有关产品明年年中面市，当前主控厂商已经在测试样品，估计会在手机闪存领域首发， 指标是70%的的读速 晋升和35%的写速 晋升，后续还会 利用到消费级SSD和企业产品上 。

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