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东芝:完成128层3D NAND Flash芯片开发

  2019年3月8日  【 转载 】 编辑:

      【中关村在线新闻资讯】3月7日 信息,东芝和合作 搭档西部数据目前 宣告,已经 实现了128层3D NAND Flash芯片的开发,估计商用名会是BiCS-5 。

东芝:
实现128层3D NAND Flash芯片开发
(图片来自https://news.mydrivers.com/1/618/618269.htm)

      BiCS-5 实际容量密度 晋升约33%,晶片容量为512Gb(64GB), 方案2020年到2021年期间商用 。

      性能方面,BiCS-5芯片采纳单Die四矩阵技术,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s 。这个速度怎么 了解?便是SLC缓存饱和之后的SSD的 实在写速 。

      乏味的是,128层产品为TLC,而非QLC,缘由是后者的产能还很低 。


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