SK海力士近日发布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，而单颗容量为16Gb(2GB) 。

SK海力士的这种DDR5-6400内存采纳1ynm工艺创造，也便是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数)，四个金属层，面积为76.22平方毫米 。

这是什么概念呢？

SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米，等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量，存储密度翻了一番 。

不过，76.22平方毫米 依然是相当大的面积，成本 确定很高，后续仍依赖于工艺的 遍及， 比方第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩短到了53.6平方毫米，足足30％ 。

固然了，翻番的存储密度 能够有效 对消上涨的成本，更何况还 能够做出更小的4Gb芯片 。

另外，新内存的工作电压仅为1.1V，相比于DDR4 标准的1.2V又减低了大概8％，而众多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很惊险的1.5V 。

为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压，SK海力士在电路设计上费了不少心思， 比方为了削减高频下的时钟颤动、时钟占空比失真，加装了新的延迟锁定环DLL， 使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator) 。

另外还有新的前向反馈 均衡(FFE)电路，以及新的写入 均衡训练算法 。

当前，三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5，然而行业 标准迟迟没能定下来，原 方案2018年底出炉现已严峻超时，并且JEDEC组织向来没有给出新的 工夫表 。

而在另一方面，针对智能手机等低功耗便携式 设施的LPDDR5都已经搞定了 。