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IBM获5 nm芯片突破 手机续航提升2、3倍
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IBM获5 nm芯片突破 手机续航提升2、3倍 |
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2017年6月6日
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摩尔定律已死？IBM 与其芯片合作 搭档 Globalfoundries 和三星可不允许 。
目前，IBM 宣告，三家研发了一种晶体管创造技术，将为 5 nm 芯片铺平 路径 。 固然团队所 使用的芯片蚀刻技术与 7 nm 芯片同为极紫外光刻(EUV)，但却没有采纳有利于硅纳米片 重叠的鳍式场效应晶体管(FinFET)设计 。
据 IBM 介绍，新技术 可以将更多的晶体管 包容到更小的芯片组里，据称一块指甲盖大小的芯片上集成晶体管数量可达 300 亿，比起几年前 7 nm 芯片集成 200 亿个晶体管的 打破也毫不 出色 。
IBM认为该技术有助于其主要 策略支柱之一认知计算(Cognitive Computing)的研发以及物联网和 其余“数据密集型计算” 使命的执行 。固然，公司也为移动 设施的 将来绘制了一个 美观的画面：除了减低成本， 晋升性能等优势之外， 将来手机 设施的续航也可增进 2 到 3 倍，而这丝毫也是当前很多手机创造商所关注的一个方面 。但当前 5 nm 芯片离商业化还尚有一段 间隔 。
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