俄罗斯卫星新闻网1月16日报导，俄罗斯远东联邦大学科研工作者奥列格•特列季亚科夫作为俄日美德国际探究团队的一员，发现斯格明子霍尔效应(skyrmion Hall effect)，这使得创造更高速、便宜、牢靠、非易失性的电子 储存器成为可能 。

科学家们的工作 成就公布在《自然•物理学》(Nature physics)杂志上 。奥列格•特列季亚科夫称，“斯格明子”可能是 将来磁存储技术的 根底 。

斯格明子的间距可仅为几纳米，与此同时，现代硬盘的磁畴 起码为100纳米 。此外，以斯格明子为 根底的内存甚至可在 缺乏电源的状况下 保留信息 。

特列季亚科夫的 共事、俄罗斯远东联邦大学的亚历山大•萨马尔达克解释说，现在科学家们已在基于斯格明子研发新的数据 储存和 解决系统 。这样的 储存器元件造价更低，而且工作速度更快，更牢靠 。

将来它们可用于生产电脑、智能手机以及 可以长期工作无需充电的传感器 。