在3D闪存领域，三星已经延续推出两代立体 重叠闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品 。

三星量产第三代3D闪存 效率 晋升40%

  万万没想到的是， 寰球第一个48层 重叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢了去 。

  不过三星也不是吃素的，今日 宣告正式量产首款可 利用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片 。没错，这是第三代了 。

  从直观层面来讲，三星比东芝“良心”( 忽视报价) 体现在MLC颗粒以及量产 威力上，毕竟东芝的说法是，我们已经 预备好量产了，而三星在 接续 使用现有 设施的状况下，三代的生产效率还 晋升了40%！

  与容量为128Gb的传统NAND相比，三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增进 。除了在单芯片上 支撑存储容量高达32GB(256Gb)之外，新的芯片还能轻松地翻倍 晋升现有SSD的存储容量，轻松TB级别，这可是三星的优势 。

三星量产第三代3D闪存 效率 晋升40%

  据悉，在新一代V-NAND闪存中，每个单元都采纳 雷同的3D Charge Trap Flash(简称CTF) 构造设计，每片芯片存储单元阵列垂直 重叠48层，利用其特别的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连 。每个芯片共包括853亿个单元 。单个存储单元容量为3bit，一共能存储2,560亿位的数据，换句话说，便是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据 。

  与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比，当存储 雷同容量的数据时，一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能削减30%  。

  固然，消费级我们是见不到了，这都是企业、数据 核心用的 。