北京 工夫7月11日 信息, 据科技网站GsmArena报导, 半导体代工厂台积电和GlobalFoundries将于2014年生产20nm工艺ARM 解决器, 在这种工艺下, 芯片频率可进一步 晋升至3GHz。 

3GHz主频ARM 解决器2014年面世(图片来自GsmArena)

据悉, 当前ARM 解决器最高主频为高通Snapdragon 800的2.3GHz, 该 解决器采纳28nm工艺, 将于2013年底大规模面市。 但是, 下一代ARM 解决器估计将采纳更加先进的20nm工艺。 

  信息称, 在20nm工艺下, 芯片的晶体管密度将进一步添加,  解决器主频可 晋升30%, 达到3GHz, 而功耗则将削减25%, 电池续航 工夫也将同时得到 蔓延。