PNY这个内存品牌在市场里并不常见，可能大多数用户对它比较陌生的，但是就如博帝、芝奇一样，不常见不代表不强劲。随着内存价格的不断探底，8GB双通道内存也仅需要200元出头，价格非常便宜。另外，DDR3-1333频率也像当年DDR2-667一样成为一个过渡产品，真正的主流的是DDR3-1600。为此，PNY推出一款单条4GB的DDR3-1600内存，下面就跟随笔者一起了解一下。

PNY 4GB DDR3-1600内存

PNY 4GB DDR3-1600内存包装

　
PNY 4GB DDR3-1600内存外观（点击放大）

　　PNY 4GB DDR3-1600内存采用双面搭载内存芯片模块设计，在标准的内存PCB板上每面焊接了各八枚内存256*8Mb颗粒，两面共16枚内存芯片模块构成了内存4GB的规格容量。

PNY 4GB DDR3-1600内存标签

　　由标签贴纸上可以得知，PNY 4GB DDR3-1600内存的规格容量为4GB，采用DDR3-1600频率，内存生产地为台湾。内存时序部分并未明确表明，这里笔者测试依然使用9-9-9-24的时序。

PNY 4GB DDR3-1600内存颗粒

　
PNY 4GB DDR3-1600内存镭射防伪、金手指特写（点击放大）

　　PNY 4GB DDR3-1600内存所使用的双面焊接设计相比单条2GB的单面焊接设计在PCB电路设计空间上要小上不少，所以内存的电容排阻以及蛇形走线都被设置在空间较为宽敞的PCB两侧边缘，内存条整体的电路设计以及元件焊接工艺都体现出专业大厂的雄厚实力。

　　另外，PNY 4GB DDR3-1600内存在防伪标签上也下足了功课，采用镭射技术，使得造假者难以模仿。