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石破天惊 PNY 2GB/800狂飙DDR2-1300 |
(2008-6-20)
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●基准性能测试
镁光颗粒的另一特长“低延迟”在这里展露无遗,DDR2-800下,2.2V电压可以实现3-3-3-8-2T的超级时序。其余附属参数亦可同时设定为tRFC=35、tRRD=3、tWTR=4、tWR=3、tRTP=3。顺利通过Everest内存频宽测试,只是内存频率不足,传输效率不算突出,但此频率下的内存潜伏较为出色。
然而如欲进一步提高内存效能,使用2.3V电压可在这一频率下使用4-4-4-12-2T的内存时序,并通过内存频宽测试,所得成绩超过DDR2-800 3-3-3-8下的水准。 ●极限超频测试
极限超频能力的高低直接决定这款内存能否登上专业超频殿堂。经过一番调试,不费吹灰之力便可将PNY DDR2-800超频至DDR2-1300,仅需2.35V电压,并仍可保持延迟5-5-5-15-2T。此时与这款内存的默认规格相比,超频幅度已超过62%。光从频率来看它已能够与DDR3内存媲美,但是所能运行的延迟是后者望尘莫及的,因此只要处理器外频与主频足够,使用这款内存可以得到非凡的频宽测试得分。 编辑总结: |
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