4月16日 信息，三星 方案在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的 重叠层数达290层，相比现在的236层只添加不到23％ 。

这一代新闪存将采纳新的 重叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列 。

这种 步骤 固然更复杂，然而良品率 能够得到很好的保障，并且 能够轻松进一步拓展 。

依照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步 重叠到430层 。

更 边远的 将来，三星可能会在2030年左右做到1000层 。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士 方案明年头量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！

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