苹果新一代手机iPhone 6s和iPhone 6s Plus还未正式公布，然而对于iPhone 7的 传闻就应满天飞了 。据外媒报导，SanDisk和东芝均推出了最新一代的3D NAND闪存，这种新闪存将极有可能被 利用到苹果2016年推出的iPhone 7身上 。

iPhone7传新 信息(图片来自腾讯)

    报导称，SanDisk和东芝现已开发出了世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存，采纳3bit/cell多值化技术，容量为32GB 。 方便地说，这种32GB的闪存模块无论是在速度还是效率上，都要超过任何现有的产品 。

    这种256Gbit X3芯片采纳了15nm的工艺，比市面上最优异的商用闪存芯片电路密度 普及了2倍、存储速度 普及4-5倍，而能耗将进一步减低 。而且，由于采纳了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩短，十分 合适智能手机、平板电脑之类的 设施 。

    更主要的是，苹果与SanDisk、东芝已经 构建了合作 搭档关系， 因此有理由相信苹果会在第一 工夫为自己的产品 使用这种最新的闪存技术 。当前，SanDisk和东芝已经 实现了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一阶段的供货 。